SiC是一种新型陶瓷，由于高密度成形技术的发展，80年代开始，国外纷纷用它做高PV值的组对材料，是到目前为止发现的最好的摩擦副材料，具备各种优良性能。重量轻，为WC的1/5，强度高，摩擦系数小，硬度略高于硬质合金，HRA90～94,抗辐射性好，具有一定的自润滑性，组对性好，化学稳定性、耐热性、热传导性都很优异。在500°C以下，几乎耐所有的酸和碱，除振动冲击大，或有颗粒介质场合外，几乎所有的硬质合金都可用它取代，价格略比WC便宜。

　　缺点：脆性材料，抗机械冲击性稍差。

　　由于制造工艺不同，性能略有差异，目前主要有4种类型：

　　1、反应烧结SiC(SiC+Si组对的致密烧结物)

　　【(α-SiC粉+石墨粉+助溶剂)混合+有机粘结剂】压制成型，放入Si粉坩埚内，在真空炉加热1600～1800°C，生成β-SiC。这种SiC由α-SiC、β-SiC、游离硅组成，由于游离硅和孔隙的存在，它不耐强碱和氧化性介质。

　　优点：收缩率小，耐热冲击性好，成本低，适于批量生产。

　　2、常压烧结SiC

　　采用超细SiC粉(粒度0.1～0.2μm)，加适当的添加剂、粘结剂压制成型，然后在2000～2200°C的温度下烧结而成。适用于数量少，规格品种多的密封环。质密度高达97%以上。

　　3、热压烧结SiC

　　粒度≤1μm的SiC，加上适当的添加剂，装入石墨模具内，在2000～2200°C的热压炉内加压(30～50Mpa)制成。这是SiC中化学稳定性最好的一种。(因为在氧化气氛下，表面生成一种SiO 保护膜，耐腐蚀性最好。)质密度高达97%以上

　　4、气相渗透SiC(又叫硅化石墨)

　　以石墨为基体，按最终产品形状加工好后，导入Si源，采用化学气相沉积法在1800～2200°C的高温下反应生成。渗透层厚度可达1.5mm，成SiC表层，表层还有10%的石墨，具有气体不渗透性，C、Si之间无明显的边界层。这种SiC既具有碳石墨优点，又具有SiC特性，是一种很有前途的碳基复合材料。气相渗透SiC与常压烧结SiC组对，可用于高速场合，即使处于半干摩擦工况条件下也不易产生卡滞与与搽伤。